Le laboratoire Laplace et l'Institut Néel ont réalisé ensemble un transistor Mosfet en diamant dopé au bore qui bénéficie d'une grande stabilité à l'état bloqué et d'une faible résistance à l'état ...

Notre transistor de puissance GaN de type classique est encapsulé dans un boîtier TO220 monté en surface et à haute diffusion thermique (taille : 15 x 9,9 x 4,6 mm) ; toutefois il ne suffit pas que le ...

Panasonic Corporation a annoncé aujourd'hui le lancement du plus petit boîtier sur le marché destiné aux transistors de puissance au nitrure de gallium (GaN)[2] (X-GaNTM)** à mode d’enrichissement [1] ...

Concevoir un transistor est souvent affaire de compromis. La diminution de la résistance pour réduire les pertes d’énergie par conversion s’accompagne naturellement d’une chute de la tension de ...

S'il n'est pas le plus ancien dans l'arbre généalogique des transistors, le « bipolaire », mis au point après le Fet (Field Effect Transistor), appartient tout de même plutôt au passé, davantage à ...